RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2865
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link