RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
67
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
67
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2042
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link