RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
67
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
67
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2208
2042
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparações de RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link