RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
43
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2701
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link