RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
43
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
35
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
7.7
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
2701
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link