RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
43
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3080
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link