RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
33
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3595
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link