RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
43
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.7
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
3595
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link