RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
50
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
50
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3277
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link