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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
50
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
50
读取速度,GB/s
11.4
17.2
写入速度,GB/s
7.7
13.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
3277
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905668-001.A00G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
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