RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
43
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3516
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link