RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
43
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2875
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link