RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
43
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3122
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link