RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
77
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
45
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2190
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link