RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
43
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3950
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link