RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
43
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3340
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link