RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
4174
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link