RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1933
2653
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link