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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
比较
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
总分
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
36
读取速度,GB/s
12.0
15.0
写入速度,GB/s
7.2
11.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1933
2653
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
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