RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
43
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3845
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link