RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
52
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
52
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2169
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link