RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2173
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link