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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
43
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
11.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.4
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.7
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1823
2173
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparações de RAM
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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