STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

Pontuação geral
star star star star star
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Pontuação geral
star star star star star
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 19
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    20 left arrow 63
    Por volta de -215% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    15.1 left arrow 1,447.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 5300
    Por volta de 4.02 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    63 left arrow 20
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,231.0 left arrow 19.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,447.3 left arrow 15.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    478 left arrow 3410
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações