RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
63
Около -215% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
19.0
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
3410
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link