RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
51
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
51
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2687
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link