RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
48
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.6
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
48
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2466
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link