RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
25
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
19
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2845
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link