RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2426
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link