RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
37
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3178
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link