RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
4064
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link