RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
25
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
21
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
3087
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link