RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2354
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link