RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3007
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link