RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
51
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2687
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link