RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2347
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link