Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Wynik ogólny

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Wynik ogólny

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

13.9 13.6

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.7 9.2

Średnia wartość w badaniach

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Powody do rozważenia
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

37 41

Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 12800

Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

41 37
Prędkość odczytu, GB/s

13.9 13.6
Prędkość zapisu, GB/s

9.7 9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps

12800 21300

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2366 2722

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Kingston 9965640-035.C00G 32GB

Kingston 9965640-035.C00G 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9905678-041.A00G 4GB

Kingston 9905678-041.A00G 4GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB