RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3172
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link