RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
3601
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link