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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
3601
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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