RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
3601
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link