RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Comparez
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Note globale
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1620
3601
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link