RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
25
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2904
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link