RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
60
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
60
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2554
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link