RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3938
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link