RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
72
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
72
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
1817
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link