RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
72
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
72
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
1817
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link