RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3800
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link