RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
40
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
40
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
3180
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link