RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
49
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.5
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
47
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2793
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link