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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
47
49
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.5
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
47
读取速度,GB/s
10.0
11.5
写入速度,GB/s
8.2
13.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
2793
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
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