Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 31
    Wokół strony 10% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    11.8 left arrow 10.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.2 left arrow 5.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 31
  • Prędkość odczytu, GB/s
    11.8 left arrow 10.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.2 left arrow 5.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1854 left arrow 1740
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania